MOS晶体管

 行业动态     |      2020-06-09 16:42    |      广州久久棋牌游戏

石英电子钟表的集成电路一般也称CMOS集成电好运来棋牌 路。CMOS(Complementary Metel Oxide-Semiconductor)即为互补型金属-氧化物-半导体,是由许多MOS晶体管在一块面积为3~4mm2 好运来棋牌游戏平台的硅片上集成的电路。MOS晶体管分为可以赢钱的游戏NMOS晶体管(如图13-1所示)和PMOS晶体管(如图13-2所示)。

图13-1 NMOS晶体管结构及符号

图13-2 PMOS晶体管结构及符号

NMOS晶体管是用P型半导体硅作衬底,在硅表面制成两个高掺杂的N离子扩散区,分别叫“源”扩散区和“漏”扩散区,并引出两电极引线,称为源极和漏极,分别用s和d表示。在两个扩散区之间的硅表面上,有一层薄的绝缘氧化膜,在这层氧化膜上还覆盖着一层金属电极,称为栅极,用g表示。图13-1(a)是结构示意图,图13-1(b)是NMOS晶体管的符号,中间箭头向里指。

当栅极没有附加电压时,从N型源极到N型漏极之间隔着P型区。这时,不论在源极和漏极之间加上极性如何的电压,因源极和漏极之间电阻很大,它们之间都不导通。

当栅极有较小正电压U gsn 时,在栅极下面产生了一个电场。在这个电场作用下,P型半导体中的空穴受到排斥,从而源极和漏极之间的半导体表面上组成一个空间电荷区,这时源极和漏极之间仍然是不导通的。

在栅极正电压U gsn 进一步增强的情况下,栅极下面的电场增强。在这个强电场作用下,源区的负电荷——自由电子被诱导到栅极下面的半导体表面,形成一个N型半导体层,把源区和漏区连接起来。这时当漏极和源极之间加上一定电压时,就会有电流流过。

从上面的分析可以看出,漏极和源极之间是否导电,取决于栅极电压,并且栅极电压要达到一定的数值。刚刚能形成导电沟道的栅极电压的数值,叫做开启电压,用U Tn 表示。

PMOS晶体管与NMOS晶体管在结构、工作原理和特性方面都相似,所不同的是PMOS晶体管的源极和漏极的材料是P型半导体,衬底是N型半导体,栅极加正电压时截止,加负电压时导通。其开启电压用U TP 表示。PMOS晶体管结构示意图如图13-2(a)所示,图13-2(b)为其符号,中间箭头向外指。

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